收藏本站
IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
210
180
150
120
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
70
60
50
Fig. 8. Transconductance
90
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 60A
I G = 10mA
100
50
T J = 150 o C
3
2
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2
V S D - Volts
1.4
1.6
1.8
0
20
40 60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
10,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
C iss
R DS(on) Limit
25μs
T C = 25 o C
1,000
C oss
100
100μs
1ms
10ms
100
f = 1MHz
C rss
10
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFT12N100Q MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
IXFT12N100 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
IXFT12N90Q MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
IXFT13N80Q MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
IXFT140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
IXFT14N100 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
IXFT14N80P MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
IXFT150N20T MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
相关代理商/技术参数
IXFT12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT12N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT12N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT12N90Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT13N100 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT13N80Q 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT13N90 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs